ETRON内存芯片 EM638165TS-6G

EM638165TS-6G

特点•快速存取时间从时钟：4.5 / 5.4 / 5.4 ns•快速时钟速率：200 / 166 / 143 MHz•完全同步操作•内部流水线结构•百万字×16位×4-进•编程模式寄存器- CAS延迟：2或3：1，突发长度2，4，8，或全页突发类型：顺序或交错突发停机功能可选驱动强度控制•自动更新和自我更新•4096刷新周期/ 64ms•CKE省电模式•±+3.3 V单电源电压为0.3V•操作温度：TA = 0 ~ 70°C•接口：LVTTL•54针400毫米塑料的TSOP封装无铅无卤•54球8 x 8 x 1.2mm（max）FBGA封装无铅和无卤素- freetable1。关键specificationstable 2。订购信息：表示无铅和卤素freeoverviewthe em638165 SDRAM是一个高速cmossynchronousdramcontaining64mbits。itisinternally配置为4组的同步接口的上百万字的X 16dram（所有的信号是在时钟信号的上升沿，时钟）。读取和写入到SDRAM的访问areburst导向；访问在选定的位置开始继续编程的一些地点编程序列。访问开始注册一个银行激活命令然后跟着读或写命令，em638165提供可编程的读或写1，2，4，8，突发长度，或全页，随着一阵终止期权。自动预充电功能可以提供一个自我定时行prechargethat是在突发序列结束开始。刷新功能，既可自动或自刷新操作简单。有一个可编程的方式登记，系统可以选择最适合的模式，最大化其性能。